로직 노드

삼성 파운드리의 3나노 공정은 채널을 확장하고 PPA를 더욱 향상시키는 특수 나노 시트와 함께 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 활용합니다.

최초의 4나노 공정인 SF4E는 모바일 제품을 위해 맞춤 제작되었으며 2021년에 양산을 시작했습니다.

5나노는 HPC 시스템이 그 어느 때보다도 적은 전력으로 더 많은 작업을 수행할 수 있도록 지원하여 성능의 한계를 뛰어넘는 동시에 에너지 발자국을 감소시킵니다.

7나노는 세계 최초로 극자외선(EUV) 리소그래피를 도입하여 실리콘 웨이퍼를 기존의 불화아르곤(ArF) 액침 노광보다 더욱 빠른 노광 공정을 거치고 있습니다.

삼성 파운드리의 8나노 무선 주파수(RF) 기술은 5G 환경에서 신속하게 정보를 공유하는 데 적합한 원칩 솔루션으로, 컴팩트한 모바일 기기에서 오래 지속되는 전력과 선명한 신호 품질을 제공합니다.

완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)는 성능과 전력 및 면적을 개선하여 Bulk CMOS 기술의 한계를 부분적으로 극복한 공정입니다.

삼성 파운드리에서 14나노 공정에 3D 핀펫 기술을 통합한 것은 파운드리 업계에서 성능과 전력 효율을 향상하고 확장 기능을 확대하는 등의 비약적인 발전을 의미했습니다.

칩 설계자는 28나노 무선 주파수(RF 공정을 통해 첨단 RF 기능과 28RF 공정 설계 키트(PDK) 및 검증 방법을 활용하여 연결성 중심 애플리케이션을 향상시킬 수 있습니다.

삼성 파운드리의 70나노 공정은 90나노 대비 속도를 개선하고 전력 수요를 낮추었으며, 수율을 높여 웨이퍼당 우수한 다이를 더 많이 탑재할 수 있습니다.

삼성 파운드리는 90나노 단일 칩 체제(SoC) 설계를 통해 동적 전력을 줄여 저전력 옵션을 제공하는 나노테크놀로지로의 첫 번째 도약을 이루었습니다.

130나노 공정은 적은 전력으로도 기기가 최상의 성능을 발휘하도록 전력 관리 기능을 제공하여 웨어러블 및 IoT 기기에 적합한 옵션입니다.

삼성 파운드리의 180나노 공정은 독보적인 정확성과 신뢰성을 제공하며 이상적으로 아날로그 애플리케이션을 지원합니다.