삼성 파운드리는 첨단 공정 기술과 우수한 IP,
첨단 패키징과 최첨단 설계를 비롯한 포괄적인 솔루션으로 가장 까다로운 HPC 플랫폼을 지원합니다.
글로벌 혁신이 가속화되는 지금,
AI와 5G 기술이 급격하게 발전되면서
점점 더 복잡한 워크로드와 분석을
처리하고 있습니다.
이런 요구 사항을 충족하기 위해 엔터프라이즈 및 초대형 클라우드 데이터 센터, 커뮤니케이션과 네트워킹 플랫폼은 글로벌 업계의 근간이 되었습니다. 이에 따라 컴퓨팅 파워와 성능, 지연 시간, 대역폭, 기능은 타협하지 않으면서 효율적으로 규모를 확대해야 합니다.
삼성 파운드리는 업계의 판도를 바꾸는 컴퓨팅 집약적인 고성능 솔루션을 설계하여
고객에게 뛰어난 전문성을 제공하는 중요한 역할을
담당하고 있습니다. 기술의 혁신과 제조의 탁월성에 대한 삼성 파운드리의 약속은 빠르게 진화하는 모바일, AI, 네트워킹, 성능, 스토리지 분야에서 가장
신뢰할 수 있는 파운드리 공급업체가 되겠다는 목표를 기반으로 실현됩니다. 삼성 파운드리는
향상된 차세대 단일 칩 체제(SoC)와
다중 칩 모듈 플랫폼에
원활하게 통합되는 강력하고 신뢰할 수 있으며 혁신적인 기술을 제공하기 위해 최선을
다하고 있습니다.
삼성 파운드리는 대량 생산 역량과 최고를 향한 노력을 바탕으로 고객 제품 수명 주기의 모든 단계에서 고객의 요구를 충족하도록 제품의 규모를 확대하며 독보적인 입지를 다지고 있습니다. 신제품 라인에 대한 주기적인 투자로 첨단 EUV(극자외선) 노드에 대한 적합한 생산 역량을 보장합니다.
삼성 파운드리는 CPU와 GPU 엔진, 신경망, 스토리지와 메모리 칩 뿐만 아니라 다양한 인터페이스와 연결 솔루션을 제공하는 기술을 통해 계속해서 HPC와 AI, 첨단 네트워킹 플랫폼을 지원하고 있습니다.
차세대 플랫폼을 지원할 삼성 파운드리의 코어 기술:
비용 효율적인
최첨단 공정 노드 기술
첨단 패키징 및
칩렛 집적
설계 서비스와 OSAT를 위한 유연한
비즈니스 참여 모델
업계를 선도하는 파트너와 공동 개발한
사용성이 입증된 IP
연결
솔루션
첨단 스토리지 및
메모리 솔루션
인터페이스 PHY: PCIe, 이더넷, USB, 다중 프로토콜 SerDes
칩 투 칩(C2C): PCIe, CXL, CCIX, 56/112G SerDes(MR/LR)
다이 투 다이(직렬): 56/112G SerDes(XSR/VSR), 특허
다이 투 다이(병렬): HBM과 유사, HBI, BoW, 특허
I-Cube: 2.5D 실리콘 인터포저(Si-Interposer)
R-Cube: 2.5D RDL 인터포저
X-Cube: 3DIC
H-Cube: 하이브리드 솔루션
표준 셀
메모리 컴파일러: S램/TCAM
보안: PUF 및 TRNG
첨단 공정 기술
광범위한 DTCO와 고성능 및 저전력 라이브러리
최적화된 금속 스택
성능 강화 키트
혁신의 선두에 있는 삼성 파운드리는 업계를 선도하며 현재와 미래의 플랫폼을 지원하는 핀펫 및 EUV(극자외선) 공정 기술을 최초로 개발했습니다. 삼성 파운드리의 기술 전문가가 다양하고 폭넓은 핀펫 및 EUV 기술의 포트폴리오를 제공하여 고객의 애플리케이션에 적합한 공정 노드를 선택할 수 있도록 도와드립니다. 삼성전자는 고객이 실리콘 분야에서 성공적인 입지를 구축하는 데 필요한 성능과 전력, 대역폭, 품질과 정확성을 항상 확보할 수 있도록 차세대 첨단 GAA(게이트 올 어라운드) 기술에 끊임없이 투자하고 있습니다.
다수의 삼성 파운드리 공정은 보다 뛰어난 성능을 보장하기 위해 트랜지스터와 표준 셀에서 추가적인 최적화 단계를 거쳤습니다. 최적화 단계에는 유연한 금속 스택 옵션과 성능 강화 키트를 비롯한 고성능 트랙 라이브러리가 포함됩니다. 또한 이 공정 노드는 실리콘 생산량 증가에 따르는 모든 파운드리 서비스와 공급망 지원을 제공합니다.
수백만 개의 웨이퍼가
처리됨
수백만 개의 웨이퍼가
처리됨
리드 고객과
최첨단
대량 생산
차세대
공정
고성능 트랜지스터
uLVT를 비롯한 다중 Vt 지원
성능 대비 전력 규모 조정을 위해 오버드라이브 지원과 초저 Vmin 지원
S램
레지스터 파일
TCAM
| 기술 | 컴퓨팅 / 그래픽 | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N/W | AI | 스토리지 | |||||
| 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | 훈련 | 인터페이스 | 엔터프라이즈 | 데이터 센터 | ||
| 공정 (권장) |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
14/11나노, 10/8나노 |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
5나노, 4나노, 3나노 GAA |
8나노, 5나노 | 14/11나노 10/8나노, 5나노 |
|
삼성 파운드리는 고객이 요구하는 성능에 최적화된 우수한 IP 포트폴리오를 방대하게 보유하고 있습니다. 이 포트폴리오는 고객의 성능 집약적인 애플리케이션에
적합하도록 설계된 전용 IP와 파운데이션 IP로 구성됩니다. 그뿐 아니라 파운데이션 IP는 고객의 성능
요구 사항을 원활하게
충족하도록 최적화되어 있습니다.
| IP | 14나노/11나노 | 10/8나노 | 5나노 | 4나노 | |
|---|---|---|---|---|---|
| ADAS | SerDes | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 |
| D2D | 체크 표시 | 체크 표시 | |||
| PCIe | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| 이더넷 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| IVI | LPDDR | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 |
| DDR | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| GDDR | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| HBM | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| 아날로그 IP | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
| S램, TCAM | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | |
빠르게 돌아가는 시장에서는 속도와 생산성이 핵심입니다. 삼성 파운드리의 고객은 그들의 신속한 적응을 위한 지원과 빠른 통합을 보장하는 동시에 설계 주기를 단축하고 생산성을 높이는 삼성 파운드리의 역량과 더불어, 고객의 테이프아웃, 생산성을 바탕으로 삼성 파운드리의 효과를 평가합니다. 이를 위해, 삼성 파운드리는 고객의 설계를 촉진하고 주기를 최적화하기 위해 설계 지원 플랫폼을 구축했습니다.
완전한 공정 설계 키트(PDK) 파일 세트
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한
노드별 디자인 플로우 방법
완전한 라이브러리와 IP
완전한 라이브러리와 IP
빠르게 설계를 시작할 수 있도록 다운로드 가능한
노드별 디자인 플로우 방법
삼성 파운드리는 주요 설계 지원 및 IP 파트너와 긴밀히 협력하여 툴을 최적화하며 설계 생산성을 높입니다. 또한 SAFE-QEDA 또는 EDA 인증 프로그램을 통해 IP와 고객
설계가 삼성 파운드리 공정 및 패키징 기술 요구 사항을 충족하도록 함으로써 설계와 실리콘의 성공률을 높입니다. 이에 더해 삼성 파운드리의 설계 지원 파트너는 시스템
수준 설계, 인공지능, 전자설계자동화의 융합으로 한층 더 뛰어난 설계 최적화를 가능하게 하는 컴퓨팅 소프트웨어의 새로운 흐름을 받아들이고 있습니다.
이
모든 최적화는 강력하고 신뢰할 수 있는 설계 지원 플랫폼을 제공하며,
삼성 파운드리 5나노 EUV 공정, 3D IC, 그리고 곧 출시될 GAA와 같은 최신
기술을 채택하는 경우 특히 필수적입니다.
| DK/PDK(*) | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| ANSYS | Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| SPICE | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| P 셀 | 체크 표시 | 체크 표시 | |||
| DRC/안테나 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| 더미 삽입 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| LVS | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| RC 추출 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| IR/EM | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| DFM | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| DK/PDK(*) | 데이터 센터 및 엔터프라이즈 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| ANSYS | Cadence | Siemens EDA | Synopsys | 기타 | |
| RTL | 체크 표시 | Arteris IP | |||
| 합성 | 체크 표시 | 체크 표시 | |||
| DFT | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| PD/STA | 체크 표시 | 체크 표시 | |||
| PV/승인 | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
| IR/EM | 체크 표시 | 체크 표시 | 체크 표시 | ||
모든 고성능 설계에서는 용이한 채택과 빠른 집적이 필수입니다. 삼성 파운드리는 고객이 IP, 설계 서비스, 설계 지원, 구현 파트너의 포괄적인 생태계를 이용할 수 있도록 지원합니다. SAFE™ 프로그램은 이러한 파트너십의 틀을 제공합니다.
주요 전자설계자동화(EDA) 벤더가 제공하는 최상의 레퍼런스 플로우
표준 셀, 메모리 컴파일러, I/O 인터페이스의 포괄적인 라이브러리
혼합 신호, 주변 장치, 멀티미디어 코어, 인터페이스를 포함하는 광범위한 IP 포트폴리오
디자인 플로우의 수율 상승 처리를 위한 제조 예측 디자인 솔루션
첨단 패키징 및 시험
디자인 서비스 파트너
클라우드 설계 지원
OSAT
고성능 컴퓨팅과 네트워킹이 필요한 새로운 시대의 설계자들은 시스템 성능 요건을 충족하기 위해 집적 단일
칩 체제(SoC)라는 어려운 과제를
마주하고 있습니다. 그 결과, 이런 제한을 극복하면서
고객에게 최적의 비용으로
다양한 포트폴리오를 제공하기 위한
새로운 패키징 기술과 비즈니스 모델이
개발 및 배포되고 있습니다.
핸드오프 모델: COT(Customer Owned Tooling, 고객 소유 툴), COPD(Customer Owned Physical Design, 고객 소유 디자인)
고객은 삼성 파운드리 패키징 옵션 중에서 선택하거나 Amkor와 같은 성능 OSAT 파트너가 제공하는 옵션을 선택할 수 있습니다.
I-Cube:
2.5D 실리콘 인터포저(Si-Interposer)
R-Cube:
2.5D RDL 인터포저
X-Cube:
3DIC
H-Cube:
하이브리드 솔루션
삼성 파운드리는 300나노의 실리콘 관통 전극(TSV)을 탑재한 실리콘 인터포저(Si-Interposer) 웨이퍼를 제조합니다. 어떤 실리콘 인터포저(Si-Interposer) 형식을 사용하는지에 따라 두 가지 조립 공정이 있습니다. 바로 CoS(Chip on Substrate)와…
R-Cube™는 ‘Chip-last’라고 알려진 RDL 우선 공정입니다. 일반적으로 RDL 레이어는 R-Cube™ 공정 초기에
캐리어 위에 제작됩니다.
레이어를 마지막에 제조하면 칩을 먼저 제조하는 공정보다 총 TAT을 단축할 수 있습니다.
이 세 가지 기술을 결합함으로써 고밀도 집적과 더 큰 규모로의 확대를 비롯해
전력 효율 개선 및 지연 시간 단축이 가능합니다. 삼성
파운드리는 경쟁력 있고 신뢰성 높은 제품을 제공하는 데 선도적인 입지를 다지고 있습니다.
H-Cube™는 미세 피치 기판, 모듈 기판으로 구성됩니다. 삼성 파운드리는 비용 측면에서 효율적인 하이브리드(다중 칩 모듈, 2.5D, 5.5D) 솔루션을
큰 패키지 크기로 제공하기 위해 이 솔루션을 개발했습니다. 미세 피치 기판의 BGA 볼 피치가 1mm에서 0.4mm 미만으로 줄어들어…
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