ロジックノード

サムスン電子の3nmプロセスは、チャネルを拡張してPPAをさらに大きく改善する特別なナノシートを使用するゲートオールアラウンド (GAA)技術を採用しています。

最初の4nmプロセスであるSF4Eは、モバイル製品の機能強化に特化しており、2021年に量産を開始しました。

5nmでは、かってない省電力でHPCシステムの性能が格段に高まり、パフォーマンスの障壁を克服しながらエネルギーのフットプリントを軽減できます。

7nmでは世界で初めて超紫外線 (EUV)リソグラフィが導入され、シリコンウエハは従来の液浸入ArFよりはるかに迅速な露光プロセスで処理されます。

サムスン電子の8nm RFは、5Gの高速情報共有に最適なワンチップソリューションで、持続的な電力の供給が可能となり、小型モバイルデバイスから非常にクリアな品質の信号を送信できます。

FD-SOI (完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)は、Bulk CMOS技術のいくつかの限界を克服するためのプロセスで、パフォーマンス、消費電力、面積が向上します。

サムスン電子が3D FinFET技術を14nmプロセスに統合したことにより、ファウンドリー業界に大きな飛躍がもたらされパフォーマンスや電力効率が格段に向上し、スケーリング機能が拡張されました。

28nm無線周波数 (RF) プロセスでは、チップ設計者は28RFプロセス設計キット (PDK) や検証メソッドを使用し、高度なRF機能によって接続性を中心とした用途を強化できます。

サムスン電子の70nmプロセスは、90nmより高速化され、消費電力が低減されました。さらに歩留まりが改善され、1ウエハあたりの良好なダイ数が増加しました。

90nmシステムオンチップ設計は、サムスン電子のナノテクノロジーへの最初の飛躍で、動的な電力を低減する低電力オプションが可能となります。

130nmプロセスは、ウェアラブルやIoTデバイスの主力オプションで、デバイスが少ない電力で最高の能力を発揮できるようにするための電源管理機能があります。

サムスン電子の180nmプロセスは、アナログ用途に最適なサポートおよび比類ない精度と信頼性を提供します。