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高度な
ヘテロジニアス
インテグレーション

新しい時代を動かす
新しい次元

サムスン電子の高度なヘテロジニアス・チップのパッケージにより、今日のデバイスメーカーは明日の飛躍的進歩を追求しています。 最先端の2.5Dと3Dのバリエーションで、サムスン電子はチップ、プロセスノード、および最先端技術を組み合わせ、あらゆる新しい可能性を開きます。

AI、5G、自動運転車およびメタバース技術における飛躍的進歩により、私たちの生活が変わることが期待されていますが、これらの進歩に必要な機能と性能を1つのチップで提供することは、より複雑になり、コスト効率も低下しています。
サムスン電子の高度なヘテロジニアス・インテグレーション(HIT)は、チップ、プロセスノード、最先端技術を1つのパッケージに統合し、高密度化し、強力な機能を組み合わせることでコストダウンを実現します。
HBMと高度なコンピューティングを備えた未来において、AHIはデバイスメーカーが新製品の性能の限界を押し上げる新しい技術を探求することを可能にしています。サムスン電子のI-Cube、H-CubeおよびX-Cubeソリューションに関しては、以下を参照してください。

I-Cube 2.5Dパッケージ

2.5Dパッケージは、平行にかつ水平にチップを配置展開し、熱の蓄積に対応し、性能を向上させます。
サムスン電子のシリコン貫通電極(TSV)とバック・エンド・オブ・ライン(BEOL)テクノロジーは、専門的な機能を調和させるために2つ以上のチップの基盤を形成し、それぞれの部分の合計以上のものとなり、最新のデバイスに強力なソリューションを提供します。

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サムスンファウンドリのI-CUBESは大型サイズのシリコンインターポーザでも確実な反り現象制御で高い帯域幅と驚くべき性能を提供します。
I-Cube S
  • I-Cube Sは、大型インターポーザを使用した場合でも、徹底した反り制御技術で見事な帯域幅と驚異的なパフォーマンスを実現します。超低メモリ損失が高メモリ密度と組み合わされ、熱効率制御が飛躍的に向上しました。
    また、I-Cube Sは、シリコンインターポーザの上にロジックチップといくつかのHBMダイを水平に配置するヘテロジニアス技術で、高いコンピューティング能力、高帯域幅のデータ転送および低レイテンシーを実現します。
サムスンファウンドリーのI-CubeEは、大きなインターポーザサイズの利点をすべて兼ね備えたシリコン組込み構造を持っています。
I-Cube E
  • I-Cube Eは、ファインパターニングによるシリコンブリッジとRDLインターポーザの両方のメリットをカバーするシリコン埋め込み構造で、TSVレス構造、PLP適用による大型インターポーザサイズを実現しました。 
サムスンファウンドリーのH-Cubeはハイブリッド基板を適用した構造であり、I-Cube2.5Dパッケージングに具現することができます。
H-Cube
  • H-Cubeは、ファインパターニングのABF(味の素ビルドアップフィルム)基板とHDI(高密度相互接続)基板とのハイブリッド基板適用構造で、I-Cube 2.5Dパッケージングへの大型化を可能にします。

X-Cube 3D IC

3D ICパッケージは、部品を垂直に積み上げることでオンチップの占有面積を大幅に節約し、表面積を削減し、 チップ間のスペース短縮により性能を向上させます。大きな金型の構造によるリスクを大幅に削減することで、 高帯域幅と低消費電力の性能を維持しながら、コストを抑えることができます。

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サムスンファウンドリーのX-Cube(u-Bump)は、Z軸でロジックダイを積層し、チップ間の向上したボンディング能力を備えています。
X-Cube (マイクロバンプ)
  • X-Cubeは、高度なパッケージングにおける飛躍であり、Z軸にロジックダイを積み重ね、 動的な結合機能を向上させます。 これらの技術革新により、サムスン電子は 優れたチップオンウェハとハイブリッド銅接合技術を迅速に発展させ、スタックあたりのチップ数がさらに増え、 速度やパフォーマンスの低下を超えてX-Cubeを向上させました。
サムスンファウンドリーのX-Cube(HybridCopperBonding)はハイブリッドCu-Cu接続で以前より多様な利点があります。
X-Cube (ハイブリッド銅接合)
  • HCB(ハイブリッド銅接合) ハイブリッドCu-Cu接合には、従来のチップスタッキング技術と比較して、レイアウトの自由度の観点から多くの利点があります。サムスンファウンドリーは、4μm以下の超微細ピッチCu-Cu接合を開発中です。