次世代工程開発の競争力確保

サムスンファウンドリは14ナノFinFET、７ナノEUV、３ナノGAA工程の開発など、世界初の記録を打ち立て、技術の限界を突破してきました。 これからはAI時代の最先端工程技術およびBSPDN¹、光学素子技術²などの次世代先端技術を通じて市場を切り開いていきます。 FinFET工程はモバイル/オートモーティブ向けの４ナノ工程を持続的に拡張し、先端GAA工程では３ナノを越えるHPC/AI向けの２ナノSF2Z（BSPDN）とオートモーティブ向けのSF2A工程をそれぞれ開発する予定です。 また、将来的には1.4ナノGAA工程の開発を通じて、グローバル市場における技術リーダーシップを強化していきます。

¹ BSPDN（Back Side Power Delivery Network）:裏面電力供給技術を利用し、電流配線層をウェハ裏面に配置することで電力と信号ラインのボトルネック効果を改善
² 光学素子技術（Co-packaged optics、CPO）:光子（Photon）を活用した半導体信号伝達方法によりデータの伝送速度および発熱問題を画期的に改善

各アプリケーションに適したカスタマイズソリューションを提供

顧客の幅広いニーズに対応できるサムスンファウンドリのトータルデザインプラットフォームを提供します。 工程ノード別のHPCやモバイル・5G、オートモーティブ、IoTなど核心AIアプリケーションへの対応をはじめ、eMRAM、PMIC、DDI、CIS、RFなどの高速不揮発性メモリ、電力管理、イメージセンサまで、次世代革新に取り組むためのスペシャルティ技術を保有しています。 顧客は専用デザインプラットフォームを通じてライブラリ、PDK、DM、設計資産（IP）および設計支援、パッケージング、クラウドサービスなど、差別化された特典を受けることができます。

最高レベルの製造能力保有

韓国の器興、華城、平沢、および米国のオースティン、テイラーを網羅する広域ファウンドリネットワークを基盤に、レガシー半導体から先端半導体まで大量生産能力を保有しています。 統合運営センターとして国内外のファブ工場に対する遠隔管理を強化し、サムスンファウンドリの製造能力を効率的に高めます。 また、工程自動化（A-Fab）とAI収率改善技術を適用したスマートファブ（Smart Fab）を通じて製品の生産サイクルや収率の面における世界最高レベルの力量を実現します。

Samsungアドバンストファウンドリエコシステムパートナーシップを基に最適化されたデザインプラットフォームの提供

Samsungアドバンストファウンドリエコシステム基盤のパートナー協業は、顧客に差別化された信頼と価値を提供する中核です。 IP、EDA、Cloud、DSP、OSATアライアンスパートナーとともに、設計段階から顧客が直面している問題について積極的に対応します。 また、最先端パッケージ協議体であるMDIアライアンスは、2.5D・3DのIC先端異種集積化パッケージをワンストップターンキーサービスで提供することで、全工程段階を経て顧客の設計を最適化し、オーダーメイド型の先端半導体開発を実現します。