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  • 究極のAIを目指して
    究極のAIを目指して
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    サムスン半導体のDRAM HBM2E Flashbolt

スーパーコンピューティングとAI技術に適した強力なメモリー
スーパーコンピューティングとAI技術に適した強力なメモリー
スーパーコンピューティングとAI技術に適した強力なメモリー

スーパーコンピューティングおよびAI基盤の技術発展のためには、帯域幅や容量、効率面において最高レベルのメモリーが必須です。
HBM2E Flashboltは、AIの性能を向上させ、拡張した容量を活用してより多くのビッグデータを処理すると同時に、高帯域幅を実現します。 スーパーコンピューティングおよびAI基盤の技術発展のためには、帯域幅や容量、効率面において最高レベルのメモリーが必須です。 HBM2E Flashboltは、AIの性能を向上させ、拡張した容量を活用してより多くのビッグデータを処理すると同時に、高帯域幅を実現します。 スーパーコンピューティングおよびAI基盤の技術発展のためには、帯域幅や容量、効率面において最高レベルのメモリーが必須です。
HBM2E Flashboltは、AIの性能を向上させ、拡張した容量を活用してより多くのビッグデータを処理すると同時に、高帯域幅を実現します。

ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)の原動力
ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)の原動力
ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)の原動力

AIアルゴリズムやデータサイエンス、自動運転、5Gなどの多様な産業分野を最先端技術でリードしてきたサムスンは、
業界初のHBM2Eソリューションを通じて、再びメモリー産業のリーダーとして先陣を切っていきます。
AIアルゴリズムやデータサイエンス、自動運転、5Gなどの多様な産業分野を最先端技術でリードしてきたサムスンは、
業界初のHBM2Eソリューションを通じて、再びメモリー産業のリーダーとして先陣を切っていきます。
AIアルゴリズムやデータサイエンス、自動運転、5Gなどの多様な産業分野を最先端技術でリードしてきたサムスンは、
業界初のHBM2Eソリューションを通じて、再びメモリー産業のリーダーとして先陣を切っていきます。
An illustrative image of Samsung HBM2E Flashbolt's fast data transfers of 3.2 Gbps per pin.

高性能の作業も
円滑に遂行できる高帯域幅
高性能の作業も
円滑に遂行できる高帯域幅
高性能の作業も
円滑に遂行できる高帯域幅

HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMに比べて、1.5倍速い3.6Gbpsの処理速度を誇ります。
また、大容量データを高速処理するTSV技術を通じて高帯域幅をサポートし、AIトレーニング効率を通常の6倍に引き上げます。*
* クラウドサービス 8GPU vs 72CPU 比較データ
HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMに比べて、1.5倍速い3.6Gbpsの処理速度を誇ります。
また、大容量データを高速処理するTSV技術を通じて高帯域幅をサポートし、AIトレーニング効率を通常の6倍に引き上げます。*
* クラウドサービス 8GPU vs 72CPU 比較データ
HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMに比べて、1.5倍速い3.6Gbpsの処理速度を誇ります。
また、大容量データを高速処理するTSV技術を通じて高帯域幅をサポートし、AIトレーニング効率を通常の6倍に引き上げます。*
* クラウドサービス 8GPU vs 72CPU 比較データ
시장에 출시된 8 Gb HBM 솔루션의 두 배 용량을 제공하는 16 Gb 코어 다이의 예시 이미지

容量が2倍に拡張し
大量のデータ処理も容易に
容量が2倍に拡張し
大量のデータ処理も容易に
容量が2倍に拡張し
大量のデータ処理も容易に

HBM2E Flashboltは、10nmクラスの16GB DRAMダイを8つ積層して、旧世代のHBMソリューションに比べて約2倍の容量を提供します。
余裕のある容量は複雑なディープラーニング技術に対応でき、ビックデータの分析速度を向上させます。
HBM2E Flashboltは、10nmクラスの16GB DRAMダイを8つ積層して、旧世代のHBMソリューションに比べて約2倍の容量を提供します。
余裕のある容量は複雑なディープラーニング技術に対応でき、ビックデータの分析速度を向上させます。
HBM2E Flashboltは、10nmクラスの16GB DRAMダイを8つ積層して、旧世代のHBMソリューションに比べて約2倍の容量を提供します。
余裕のある容量は複雑なディープラーニング技術に対応でき、ビックデータの分析速度を向上させます。
시장에 출시된 8 Gb HBM 솔루션의 두 배 용량을 제공하는 16 Gb 코어 다이의 예시 이미지

アップグレードした性能、
電力消費の減少
アップグレードした性能、
電力消費の減少
アップグレードした性能、
電力消費の減少

HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMソリューションに比べて、
18%電力効率が向上し、Power bumpの適用も1K増えたことで、
より少ないエネルギーでより多くのパワーを供給できるようになりました。
※サムスン電子内部データ基準(要請時に提供)
HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMソリューションに比べて、
18%電力効率が向上し、Power bumpの適用も1K増えたことで、
より少ないエネルギーでより多くのパワーを供給できるようになりました。
※サムスン電子内部データ基準(要請時に提供)
HBM2E Flashboltは、旧世代のHBMソリューションに比べて、
18%電力効率が向上し、Power bumpの適用も1K増えたことで、
より少ないエネルギーでより多くのパワーを供給できるようになりました。
※サムスン電子内部データ基準(要請時に提供)
저전력으로 고성능을 발휘하는 삼성 HBM2E Flashbolt의 일러스트 사진

On Die ECCで完成した高い信頼性
On Die ECCで完成した高い信頼性
On Die ECCで完成した高い信頼性

HBM2E FlashboltのODECC(On Die ECC)ソリューションは、内部エラー自動修正機能により、破損したデータを修復します。
また、単一ビットエラーを改善し、全データにおける信頼性を向上させることができます。
HBM2E FlashboltのODECC(On Die ECC)ソリューションは、内部エラー自動修正機能により、破損したデータを修復します。
また、単一ビットエラーを改善し、全データにおける信頼性を向上させることができます。
HBM2E FlashboltのODECC(On Die ECC)ソリューションは、内部エラー自動修正機能により、破損したデータを修復します。
また、単一ビットエラーを改善し、全データにおける信頼性を向上させることができます。
On Die ECC 솔루션에 따른 높은 신뢰성과 안전성을 확보한 삼성 HBM2E Flashbolt의 일러스트 사진

結果
すべての製品
パートリスト

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すべての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成によって制約を受ける場合があります。

本書掲載の製品外観は単なるイメージであり、実際の製品と異なる場合があります。

サムスン電子では、予告なしに製品の外観や仕様を変更する権利を有しています。

製品の仕様の詳細については、お客様の地区の営業担当にお問い合わせください。

HBM2E Flashboltアプリケーション