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  • 应用范围广泛的
    存储器产品
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    Samsung Semiconductor DRAM DDR3, Most Widely Chosen Memory Product

适合众多计算环境
适合众多计算环境
适合众多计算环境

三星业界先进的 DDR3 于 2005 年开发而成，是应用极为广泛的系统解决方案，
无论是在 PC 和家用电器还是在汽车设备中，都得到广泛应用。 三星业界先进的 DDR3 于 2005 年开发而成，是应用极为广泛的系统解决方案，无论是在 PC 和家用电器还是在汽车设备中，都得到广泛应用。 三星业界先进的 DDR3 于 2005 年开发而成，是应用极为广泛的系统解决方案，无论是在 PC 和家用电器还是在汽车设备中，都得到广泛应用。

速度快，
性能高
速度快，
性能高
速度快，
性能高

带宽是 DDR2 的两倍
带宽是 DDR2 的两倍
带宽是 DDR2 的两倍
由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、
台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
Samsung semiconductor DRAM DDR3, High Speed and Performance

功耗低、能效高的
DRAM 解决方案
功耗低、能效高的 DRAM 解决方案
功耗低、能效高的 DRAM 解决方案

与 DDR2 相比，
功耗降低达 30%
与 DDR2 相比，功耗降低达 30%
与 DDR2 相比，功耗降低达 30%
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低，与上一代产品相比，
能耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低，与上一代产品相比，能耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低，与上一代产品相比，能耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本*。

*使用 DDR3 和 DDR2 进行内部测试
三星半导体DRAM DDR3，低功耗、高效的DRAM解决方案
分类 二代双倍数据率同步
动态随机存储器		 三代双倍数据率同步
动态随机存储器
界面 数据率 (Mbps) 400, 533, 667, 800 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133
CL 2~6 5~14
VDD/VDDQ VTT VTT, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133
终止(DQ) 1.8 V 1.5 V/1.35 V
Vref DQ 0.5xVDDQ 0.5xVDDQ
核心架构 bank 4, 8 (1 Gb~) 8
页面大小 1 KB (x4/8), 2 KB(x16) 1 KB(x4/8), 2 KB(x16)
包装类型 FBGA (60/84 ball) FBGA(78/96 ball)
预读取 4 Bit 8 Bit

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所有产品
料号列表

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所有产品规格均基于内部测试结果，可能因用户系统配置不同而有所差异

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三星保留对产品图片和规格随时进行更改的权利，恕不另行通知

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DDR3的应用